電子在電場（chǎng）的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰（pèng）撞（zhuàng）,電離出大量的（de）氬離子和電子,電子（zǐ）飛向基片.氬離子在電場的作（zuò）用下（xià）加速轟擊靶材（cái）,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子（或（huò）分子）沉積在基片上成膜.二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場（chǎng）洛侖磁力（lì）的影響,被（bèi）束縛在*近靶麵的等離子體區域內,該區（qū）域內等離子體密度很（hěn）高,二次電子（zǐ）在磁場的作用（yòng）下圍繞靶麵（miàn）作圓周運動,該電子的運（yùn）動路徑很長,在運動過程中不斷的與氬原子發（fā）生碰撞電（diàn）離出大量（liàng）的氬離子轟擊靶材,經（jīng）過多次碰撞後電子的能量逐漸降低,擺脫磁力線的束縛,遠離靶材,最終沉積在基片上.

        磁控（kòng）濺射就是以（yǐ）磁（cí）場束（shù）縛和延長電子的運（yùn）動路徑,改變（biàn）電子（zǐ）的運動方向,提高工作氣體的電離率和有（yǒu）效利用（yòng）電子的能量.

       電子的歸宿不僅僅是基片,真空室（shì）內壁及（jí）靶源陽極也是電子歸宿.但一（yī）般基片與真空室及陽（yáng）極在同一電勢.磁場與電場的交（jiāo）互作用（E X B shift）使單個電子軌跡呈三維螺旋狀,而不是僅僅在靶麵圓周運動.至於（yú）靶麵圓周型的濺射（shè）輪廓,那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀.磁力線分布方（fāng）向不同會對成膜有很大關（guān）係.

       在E X B shift機理下工作的不（bú）光磁控濺射,多弧鍍靶（bǎ）源,離（lí）子源（yuán）,等離子源等都在次原理下工作.所不同的是電場方向,電壓（yā）電流大小而已.