磁控濺射技術自誕生以（yǐ）來，得到了較（jiào）快的發（fā）展和較廣的應（yīng）用，對（duì）其他鍍膜（mó）方（fāng）法的發（fā）展（zhǎn）產生了很大的影（yǐng）響。通過大量的（de）實踐，香蕉爱视频真空總結出這（zhè）種（zhǒng）技術的優缺（quē）點，如下文所示。

　　優點：
　　1.沉積速率高，襯底溫升低，對薄膜損傷小；
　　2.對於大（dà）多數材料，隻要能製造出靶材，就可（kě）以實現濺射；
　　3.濺射得（dé）到的薄膜與基底結合良好；
　　4.濺射得（dé）到的薄膜純（chún）度較高，密（mì）度好，均勻性好；
　　5.結果表明，濺射工藝具有良好的重複性，在大麵積襯底（dǐ）上可獲得（dé）厚度均（jun1）勻的薄膜；
　　6.可以準確控製（zhì）塗層厚度，通過（guò）改變參數（shù）來控（kòng）製薄膜（mó）的粒徑（jìng）；
　　7.不同的金屬、合金和氧化物（wù）可以混合，同時濺射在基體上；
　　8.易於工業化。


　　但是磁控濺射也存在（zài）一些問題
　　1.該技術所使用的環（huán）形磁場迫使次（cì）級電子圍（wéi）繞環形磁場跳躍。因此，由環形磁（cí）場控製的區域是等離子體密度較高的（de）區域。在（zài）該技術中，我們可以（yǐ）看到濺射氣體氬在這一區域（yù）發出強烈的淡藍色光芒，形成光暈。光暈下的靶是離（lí）子轟擊比較嚴重的部分，它會（huì）濺出一個圓形（xíng）的溝槽（cáo）。環（huán）形磁場（chǎng）是電子運動的軌道，環形輝光和（hé）溝槽生動地表現了這一點。靶材的濺射槽一旦穿透靶材，整（zhěng）個靶材就會（huì）報廢，靶材利用率（lǜ）不高（gāo），一般低於40%；
　　2.等離子（zǐ）體不穩（wěn）定（dìng）；
　　3.由於基本的磁通量均不能（néng）通過磁性靶（bǎ），所以在靶麵（miàn）附近不可能產（chǎn）生外加磁場。

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