磁控濺射具有以下兩大優點：提高等離子密度，從而提高濺射速度；減少轟（hōng）擊零件的電子數目（mù），因而降低了基材因電子轟擊的升溫。

因此，該技術在薄膜技術中占有主導地位。磁控濺射陰極的最大缺點：使用平麵靶材，靶材在跑道（dào）區形成濺射溝道，這溝道一旦貫穿靶材（cái），則整塊靶材即報廢（fèi），因而靶材的利用率隻有20-30%。

不過，目前為了避免這個缺（quē）點，很多靶材采用圓柱靶材形式，靶材利用率得以大幅度提高。