偏壓（Bias)是指在鍍膜過程中施加在基體上的負電壓。偏（piān）壓電源的正極接到真空室上，同時真空室接地，偏壓的負極接到工件上。由於大地的電壓一般認為是零電位，所以工件上（shàng）的電壓習慣說負偏壓，簡稱偏壓（yā）。

負偏壓的（de）作用
提供粒子能量；
對於基片的加熱效應；
清除基片上吸（xī）附的氣（qì）體和油汙等，有（yǒu）利於提高膜（mó）層結合強度；
活化基體表麵；
對電（diàn）弧離（lí）子鍍（Arc Ion Plating)中的大顆粒有淨化作用；

偏壓的分類
根據波形可分為：
直流偏壓
直流脈（mò）衝偏壓
直流疊加脈衝偏壓
雙極性脈衝偏壓

直（zhí）流偏壓和脈衝偏壓的比較

傳統的電弧離子鍍是（shì）在（zài）基片（piàn）台上施加直流負偏壓控製離（lí）子轟擊能（néng）量, 這種沉積工（gōng）藝存在以下缺點:
        基體溫升（shēng）高, 不（bú）利於在回火（huǒ）溫度低的基體上沉積硬質膜。
        高能離子（zǐ）轟擊（jī）造成嚴（yán）重的濺射, 不能簡單（dān）通過提（tí）高（gāo）離子轟擊能量合成高反應（yīng）閾能的硬質薄膜。
直流（liú）偏壓電弧離子鍍工藝中（zhōng）,為了抑製因（yīn）離子（zǐ）對基體表麵連續轟擊而導致的基體溫（wēn）度過高,主要采（cǎi）取減少沉積功率、縮短沉積時間、采用間歇沉積方式等措施來降低沉積溫度，這些（xiē）措施可以概括地稱為能量控製法'這種方法（fǎ）雖然可（kě）以降低沉積溫度,但也使薄膜的某些性能下降（jiàng）,同時還降低了生產效率和薄膜質量的穩定（dìng）性，因此,難以推廣應用。
脈衝偏壓電弧離子鍍工藝中,由於離子是（shì）以（yǐ）非連續的脈衝方式轟擊基體（tǐ）表麵,所以通過調節脈衝偏壓的占（zhàn）空比,可改變基體內（nèi）部與表麵之間的溫度梯度,進而改變基體內部與表麵之間熱的均衡補償效果,達到（dào）調控沉積溫度的目的。這樣就可以把施加偏壓的脈（mò）衝高度與工件溫度（dù）獨立分開(互不（bú）影響或影響很小（xiǎo）)調節,利用高壓脈衝來獲得高能離子的轟擊效應以改善薄膜的組織和性能,通過降低占空比來減（jiǎn）小離（lí）子轟擊的（de）總加熱效應以降低沉積溫度。

偏壓對膜層的影響

偏壓對膜層的（de）影響機（jī）製是很複雜的，下麵列出了（le）一些（xiē）主（zhǔ）要（yào）影響，可以根據（jù）自己的使用工藝，觀察總結，就可（kě）以很快摸清偏壓對膜層的影響規律。
        膜層結構、結晶構造取向、組織（zhī）結（jié）構
        沉積速率
        大顆粒（lì）淨化
        膜層硬度
        膜層致（zhì）密度
        表麵形貌
        內應力

下一個：真空鍍膜機適用（yòng）範（fàn）圍真空鍍膜機用戶設置具體設置