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真空鍍膜(mó)機濺鍍的原理是什麽

作者: 來源: 日期:2017-11-28 9:08:18 人氣:7957
真空(kōng)鍍膜機濺鍍的原理是什麽
濺鍍,一般指的(de)是磁(cí)控濺鍍,歸於高速低溫濺鍍法.
該技能請求真空度在1×10-3Torr擺布,即1.3×10-3Pa的真空狀況充(chōng)入慵懶氣(qì)體(tǐ)氬氣(Ar),並在塑膠基材(cái)(陽極)和金屬靶材(陰極)之間加上高壓直流電,因為輝光(guāng)放電(glow discharge)發(fā)生的電子激起慵懶氣體,發生等離子(zǐ)體,等離(lí)子體將金屬靶材的(de)原子轟出,堆積在塑膠(jiāo)基材上.
以(yǐ)幾十電(diàn)子伏(fú)特或更高動(dòng)能的荷電粒子(zǐ)炮擊資料外表,使其(qí)濺射(shè)出進入氣相,可用來刻蝕和鍍膜。入射一個離子所濺射出的(de)原子個數稱為濺射(shè)產(chǎn)額(Yield)產額越(yuè)高濺射速度越快,以Cu,Au,Ag等最高,Ti,Mo,Ta,W等最低。一般在0.1-10原子/離子。離子能夠直流輝光放電(glow discharge)發生,在10-1—10 Pa真(zhēn)空度,在兩極間加(jiā)高壓發生放電,正離子會炮擊負電之靶(bǎ)材(cái)而濺射也靶材,而鍍至被鍍(dù)物上。
正常輝光放電(glow discharge)的電(diàn)流密度與(yǔ)陰極物質與形狀、氣體品種壓力等有關。濺鍍時應盡也許保持其安(ān)穩。任何資料皆可(kě)濺射鍍膜,即便高熔點資料也簡單濺(jiàn)鍍,但對非導體靶材須以射頻(RF)或脈衝(pulse)濺射;且(qiě)因導電(diàn)性較差,濺(jiàn)鍍功率及速度較低。金(jīn)屬濺鍍功(gōng)率可達10W/cm2,非(fēi)金屬<5W/cm2
二極濺鍍射(shè):靶材為陰極,被鍍工件及工件架為陽極,氣體(氬氣Ar)壓力(lì)約幾Pa或更(gèng)高方(fāng)可得(dé)較高鍍率。
磁控濺射:在陰極(jí)靶(bǎ)外表構成一正交電磁場,在此區(qū)電子密度高,進而進步離子密度,使得(dé)濺鍍率進步(一個數量級),濺射(shè)速(sù)度可達0.1—1 um/min膜(mó)層(céng)附著(zhe)力較蒸鍍佳,是現在最有用的鍍膜技能之一。
其它有偏壓濺(jiàn)射、反應濺射、離子束濺射等鍍膜技能
濺鍍機設備與技能(磁控濺鍍)
濺鍍機由真空(kōng)室,排氣係統,濺射源和操控係統構成。濺射源又分為電源和濺射槍(sputter gun) 磁控濺射槍(qiāng)分為平麵型和(hé)圓柱型,其間平麵型分為矩(jǔ)型和圓型,靶資料利用率30- 40%,圓柱型靶資料利用率>50% 濺射(shè)電源分為:直流(DC)、射(shè)頻(RF)、脈衝(pulse), 直(zhí)流(liú):800-1000V(Max)導體用,須可災弧。
射頻:13.56MHZ,非導體用。脈(mò)衝:泛用,最新發展出 濺鍍時(shí)須操控參數(shù)有濺射電流,電壓或功率,以及濺鍍壓力(5×10-1—1.0Pa),若(ruò)各參數皆安穩,膜厚能夠鍍膜時刻估量出來。
靶材的挑選與處理十分重要,純度要佳,質地均勻,沒有氣泡、缺點,外表應平坦光亮。關於直接冷(lěng)卻靶,須留意其在濺射後靶材(cái)變薄,有也許決裂(liè)特別是非金屬靶。一般靶材最薄處不行小於原靶厚之一半或5mm。
磁(cí)控濺鍍操作方法和一般蒸鍍相似,先將真(zhēn)空抽至(zhì)1×10-2Pa,再通入(rù)氬氣(Ar)離子炮擊靶材,在5×10-1—1.0Pa的壓(yā)力下進(jìn)行濺鍍其間須留意電流、電(diàn)壓(yā)及壓力。開(kāi)始時濺鍍若有打火,可(kě)緩慢調升電壓,待安(ān)穩放電(diàn)後(hòu)再關shutter. 在這個進程中,離子化的慵懶氣體(Ar)清洗和露出該塑膠基材(cái)外表上(shàng)數個毛纖細空,並通過該電子與自塑膠基材外表被清洗而發生一自在基,並保持真空狀(zhuàng)況下施以濺鍍構成外表締結構,使外表締結構與自在基發生填補和高附著性的化學性(xìng)和物理性的聯係狀況(kuàng),以在外表(biǎo)外安定地構成薄膜. 其(qí)間(jiān),薄膜是先通過把(bǎ)外表締造物大致(zhì)地填滿該塑膠毛纖細孔後並作連接而構成。
濺鍍與(yǔ)常用的蒸騰鍍相(xiàng)比,濺鍍具有電鍍層與基材的聯係力強(qiáng)-附著力比蒸騰鍍高過10倍以上,電鍍層細密,均勻等優點.真空蒸鍍需要(yào)使金(jīn)屬或金屬氧化物蒸騰汽化,而加熱的溫度不能太高,不然,金屬氣體堆積在塑膠基材放熱而燒壞塑膠基材.濺射粒子幾(jǐ)不受重力影響,靶材與基板方位可自在組織,薄膜構成前(qián)期成核(hé)密度高,可出(chū)產10nm以下的極薄接連膜,靶材的壽命長,可長時刻(kè)自(zì)動化接連出產。
靶材可製作(zuò)成各種形(xíng)狀,合作機台的特別設計做非常好的操控及最(zuì)有功(gōng)率的出產(chǎn) 濺鍍(dù)利(lì)用高壓電場做發生等離子鍍膜物質,運用幾乎一切高熔(róng)點金屬,合金和金屬(shǔ)氧化物,如:鉻,鉬,鎢,鈦,銀,金等.並(bìng)且(qiě),它是一個強行(háng)堆積的進程,選(xuǎn)用這種(zhǒng)技能取得的電鍍層與塑膠基材附著力遠遠(yuǎn)高於真(zhēn)空蒸鍍法.但,加工成(chéng)本(běn)相對較高.真空濺鍍是通過(guò)離子磕碰而取得薄膜(mó)的一種技能,首要分為(wéi)兩類,陰極濺鍍(Cathode sputtering)和射頻濺鍍(RF sputtering)。陰極濺鍍一般用於濺鍍導體,射頻濺鍍(dù)一般用於濺鍍非導體實施陰極濺鍍所需環境:a,高(gāo)真空以削減(jiǎn)氧化物的發生b,慵懶技能氣體,一般為氬器氣c,電場d,磁場e,冷卻(què)水用以帶走濺鍍時發生的高熱。

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